根据台积电的工艺路线图，2020年Q3季度就要试产5nm工艺了，而中微半导体的5nm蚀刻机已经打入台积电的供应链。
近日，中微半导体设备公司董事长尹志尧博士提到了该公司的进展，指出中微半导体正在跟随台积电按照摩尔定律的发展走，后者的3nm工艺已经研发一年多了，预计2021年初就要试产，也就是说目前中微子已经在预研3nm蚀刻机。
很多人对于芯片制造只知道光刻机，集成电路设备通常可分为前道工艺设备（晶圆制造）、后道工艺设备（封装与检测）等。
因生产工艺复杂，工序繁多，所以生产过程所需要的设备种类多样。其中，在晶圆制造中，直径30厘米的圆形硅晶薄片穿梭在各种极端精密的加工设备之间，由它们在硅片表面制作出只有发丝直径千分之一的沟槽或电路。热处理、光刻、刻蚀、清洗、沉积……每块晶圆要昼夜无休地被连续加工两个月，经过成百上千道工序，最终集成了海量的微小电子器件，经切割、封装，成为信息社会的基石——芯片。
而这所有的过程共分为七大生产区域，分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化，所对应的七大类生产设备分别为扩散炉、光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉积设备、化学机械抛光机和清洗机，其中金属化是把集成电路里的各个元件用金属导体连接起来，用到的设备也是薄膜生长设备。
由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中不断循环往复，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高。
在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中不断循环往复，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，其中镀膜设备、刻蚀设备、光刻机大约分别占半导体晶圆厂设备总投资的15%、15%、20-25%。
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